
| Производитель | PD |
|---|
|
Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: P-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0,8 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 60 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 3 В Максимальный ток стока | Id |: 0,27 A Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 1,7 нКл Время нарастания (tr): 15,5 нс Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 6 Ом Корпус: ТО-92 |