Модули серии IGBT BSM50GAL120DN2 BSM50GB120DN2
Код: BSM50GAL120DN2
Готово к отправке
от 110 ₴/мес
от 1 100 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 110 ₴/мес.
Оплата на счетIBAN UA783052990000026004050287247
Характеристики и описание
| Производитель | Infineon |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Транзисторный модуль |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Срок службы | 8000 час |
Наименование: BSM50GAL120DN2
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 56
Емкость коллектора (Cc), pf: 500
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM50GAL120DN2
