Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT
Код: 7000002376В наличии
10+ купили
12 ₴
Заказ у продавца — от 100 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA933220010000026005340028935
Характеристики и описание
| Свойства | Ключевые слова Чип 30F131,GT30F131,TO263-2,Транзистор IGBT |
|---|
Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
- Мощность: 140 Вт
Вопросы и ответы
0
Хочешь узнать больше о товаре? Спрашивай — продавец с радостью подскажет.
