Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор полевой IRL520S

Код: A118337
Готово к отправке
10+ купили
27.26 ₴
Заказ у продавца — от 200 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
Транзистор полевой IRL520S - фото 1 - id-p1460551563
  • Транзистор полевой IRL520S - фото 1 - id-p1460551563
  • Транзистор полевой IRL520S - фото 2 - id-p1460551563

Характеристики и описание

Основные

Производитель
IR

Пользовательские характеристики

КорпусD2-PAK
Число каналов1
Максимальна робоча температура, °C175
Мінімальна робоча температура, °C-55
Напруга затвор-витік Vgs, Вольт10
Напруга пробою сток-витік Vds, Вольт100
Опір сток-витік (25°C) Rds(on), Ом0,38
ПолярностьN-Channel
Порогова напруга затвор-витік Vgs(th), Вольт1-2
Постійний струм стоку (25°C) Id, Ампер9,2
Розсіювана потужність (25°C) Pd, Ватт60
Час відкриття транзистора td(on), Наносекунд9,8
Час закриття транзистора td(off), Наносекунд21
N-ch; 100V; 9,2A; 60W; 0,27 Ohm

Описание

це N-канальный Logic-Level MOSFET с изолированным затвором обогащенного типа. Используется в DC-DC преобразователях, автомобильной электронике, BMS, драйверах двигателей, ключах нагрузки та інших импульсных силовых узлах.

Технические характеристики

  • Тип / канал: N-канальный Logic-Level MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 100 В
  • Максимальный постоянный ток стока (ID): 9,2 А
  • Сопротивление открытого канала (RDS(on)): 0,27…0,38 Ом залежно від ревізії/умов VGS
  • Пороговое напряжение затвор-исток (VGS(th)): 1…2 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (VGS): ±10 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (PD): 60 Вт
  • Рабочая / максимальная температура перехода: -55…+175 °C
  • Быстродействие / время переключения: td(on) ≈9,8 нс; td(off) ≈21 нс
  • Корпус: D2-PAK

Функционал

  • Работа в DC-DC преобразователях
  • Работа в автомобильной электронике
  • Работа в BMS
  • Управление силовой нагрузкой у драйверних схемах
  • Коммутация электрической нагрузки

Распиновка

Корпус D2-PAK, стандартний силовий SMD MOSFET: 1. Gate (G) 2. Drain (D) 3. Source (S). Большая тепловая площадка/фланец также электрически соединена з Drain (D).

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Ником радио-маркет
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор MJ11033 PNP 120 В 50 А TO3
922.92 ₴
1 153.65 ₴