КТ8102А транзистор PNP (16А 200В) 150W

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр., МГц	Uкэн, В
КТ8102А	p-n-p	200	160	16000	(150)	20	2000	10	<2
КТ8102Б		160	120	16000	(150)	20	2000	10	<2

Корпус:

КТ8102А
Транзисторы КТ8102А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. 
Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях. 
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. 
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,5 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ8102А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• Рк т max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 150 Вт;
• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц;
• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А;
• Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск ― Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;
• Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом