Prom – найбільший маркетплейс України

2П103В

Код: 2П103В
5.0 (1)
10+ купили
В наличии
40 ₴
Заказ у продавца — от 50 ₴
Продавец ПП Правдивий
97%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA693052990000026000006708161
2П103В - фото 1 - id-p1434622416

Характеристики и описание

Транзистора 2П103В кремниевые  диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и  каналом р-типа

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (1)
  • Вопросы (0)
  • 04.06.2025
    Олександр П.
     Куплено на Prom.ua
    Мені сподобалось
    Недостатки
    Не має
Был online: Сегодня
ПП Правдивий
97% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

STGP15M120F3 Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 15А, 259Вт, TO220AB
STGP15M120F3 Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 15А, 259Вт, TO220AB
1 005 ₴
IRF2804STRL7PP MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 280 А, 2.3 мОм
IRF2804STRL7PP MOSFET транзистор: N-канал, 40 В, 280 А, 2.3 мОм
601.30 ₴
STW13NK100Z MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 1 кВ: Iс(25°C): 13.5 А: Rси(вкл): 0.7 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STW13NK100Z MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 1 кВ: Iс(25°C): 13.5 А: Rси(вкл): 0.7 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
1 188.80 ₴
SSM2212RZ Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 20 мА, 300 hFE
SSM2212RZ Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 20 мА, 300 hFE
1 978.80 ₴
2N5038 Транзистор: NPN: биполярный: 150В: 20А: 140Вт: TO3
2N5038 Транзистор: NPN: биполярный: 150В: 20А: 140Вт: TO3
500 ₴
Транзистор CS50N20A8R
Транзистор CS50N20A8R
157.38 ₴
196.73 ₴
IGW75N60H3FKSA1 IGBT Trench Feldstopp 600 V 140 A 428 W
IGW75N60H3FKSA1 IGBT Trench Feldstopp 600 V 140 A 428 W
1 685 ₴
Транзистор FQPF2N60C
Транзистор FQPF2N60C
96.10 ₴
120.13 ₴
Транзистор AOTF11S60
Транзистор AOTF11S60
175.18 ₴
218.97 ₴
SPW20N60S5 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 20 А, 190 мОм
SPW20N60S5 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 20 А, 190 мОм
1 107.50 ₴
E13007-1 Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB.
E13007-1 Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB.
38.80 ₴
GT50J322 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
GT50J322 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A
828.80 ₴
MJ15024 Транзистор: NPN: биполярный: 250В: 16А: 250Вт: TO3
MJ15024 Транзистор: NPN: биполярный: 250В: 16А: 250Вт: TO3
511.30 ₴
RJH60T04DPQ-A1#T0 Транзистор, IGBT TRENCH, 600В, 60А,
RJH60T04DPQ-A1#T0 Транзистор, IGBT TRENCH, 600В, 60А,
970 ₴