Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор П216Г

Код: 1142
В наличии
10+ купили
29 ₴
Заказ у продавца — от 200 ₴
Продавец Радио-ок
95%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
Транзистор П216Г - фото 1 - id-p1408873015

Характеристики и описание

транзистор П216Г  в упаковках с крепежом

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Радио-ок
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

MJ15025G Транзистор PNP 250В 16А 250Вт
MJ15025G Транзистор PNP 250В 16А 250Вт
851.30 ₴
Транзистор 2STW100
Транзистор 2STW100
872.88 ₴
1 091.10 ₴
KSC5338D Транзистор биполярный NPN , НКЭ макс.450 В , 5 А , 11 МГц , 75 Вт ,-55…150°C. Замена для 2SC2335
KSC5338D Транзистор биполярный NPN , НКЭ макс.450 В , 5 А , 11 МГц , 75 Вт ,-55…150°C. Замена для 2SC2335
170 ₴
IXTH10P60 Транзистор: P-MOSFET: полевой: -600В: -10А: 300Вт: TO247-3: 500нс
IXTH10P60 Транзистор: P-MOSFET: полевой: -600В: -10А: 300Вт: TO247-3: 500нс
2 682.50 ₴
BSC0901NSIATMA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 100А: 69Вт: PG-TDSON-8
BSC0901NSIATMA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 30В: 100А: 69Вт: PG-TDSON-8
212.50 ₴
Транзистор IRFP4568 оригінал (150V,171A), TO247
Транзистор IRFP4568 оригінал (150V,171A), TO247
188 ₴
Транзистор 35N60A, 600V, 35A, TO-3P
Транзистор 35N60A, 600V, 35A, TO-3P
229 ₴
Транзистор APM4953KC-TR
Транзистор APM4953KC-TR
76.66 ₴
95.83 ₴
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
STP8NK100Z MOSFET силовой транзистор - TO-220-3 , Тип : N , Uси : 1 кВ , Iс (25°C) : 6.6 А , Rси(вкл) : 1.85 Ом , 73 нКл , 10 В
1 571.30 ₴
IGW40N65F5FKSA1 Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 250Вт, TO247-3, F5
IGW40N65F5FKSA1 Транзистор: IGBT, 650В, 46А, 250Вт, TO247-3, F5
602.50 ₴
IRLML2502TRPBF-JSM N-Channel 20V 4.5A 1.5W Surface Mount SOT-23
IRLML2502TRPBF-JSM N-Channel 20V 4.5A 1.5W Surface Mount SOT-23
6.30 ₴
FGH40T100SMD Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) , 1000В, 80A, TO247
FGH40T100SMD Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) , 1000В, 80A, TO247
842.50 ₴
NCEP02T10T 200V 100A 12mΩ@10V 300W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-247-3L MOSFETs
NCEP02T10T 200V 100A 12mΩ@10V 300W 4.5V@250uA 1 N-Channel TO-247-3L MOSFETs
260 ₴
IPW65R150CFDFKSA2-VB N-канальный MOSFET 650 В, 20 А, 208 Вт, корпус TO-247
IPW65R150CFDFKSA2-VB N-канальный MOSFET 650 В, 20 А, 208 Вт, корпус TO-247
407.50 ₴