Prom – найбільший маркетплейс України

КТ8102А

Код: КТ8102А
В наличии
30+ купили
75 ₴
Продавец ПП Правдивий
99%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта, Самовывоз
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
    IBAN UA693052990000026000006708161
КТ8102А - фото 1 - id-p1401480092

Характеристики и описание

Биполярный транзистор PNP ( 200B, 16A, 150W )

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
ПП Правдивий
99% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

KSC2690AYS Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 155 МГц, 20 Вт, 1.2 А, 160 hFE
KSC2690AYS Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 155 МГц, 20 Вт, 1.2 А, 160 hFE
55 ₴
2STN1360-ST Транзистор NPN, биполярный, 60В, 3А, 1,6Вт
2STN1360-ST Транзистор NPN, биполярный, 60В, 3А, 1,6Вт
52.50 ₴
IRFU120NPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFU120NPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
62.50 ₴
BCM62B,216 Биполярные транзисторы - BJT BCM62B/SOT143/50 V
BCM62B,216 Биполярные транзисторы - BJT BCM62B/SOT143/50 V
27.50 ₴
MJD122G Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 100В: 8А: 1,75Вт
MJD122G Транзистор: NPN: биполярный: Дарлингтон: 100В: 8А: 1,75Вт
58.75 ₴
NTMFS4835NT1G MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В:
NTMFS4835NT1G MOSFET транзистор -SO8-FL: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 104 А: Rси(вкл): 3.5...5 мОм: при Uзатв(ном): 4.5...10 В:
55 ₴
2SK903 Транзистор полевой MOSFET, 40 W, 800 V, 3 A, 4 Ohm
2SK903 Транзистор полевой MOSFET, 40 W, 800 V, 3 A, 4 Ohm
65 ₴
IRFR3707ZTRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 56 А: Rси(вкл): 9.5...12.5 мОм: @Uзатв(ном):
IRFR3707ZTRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 56 А: Rси(вкл): 9.5...12.5 мОм: @Uзатв(ном):
52.50 ₴
BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: напряжение 240В: ток 0,26А: мощность 1Вт: сопротивление 6 Ом
BSS87H6327FTSA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: напряжение 240В: ток 0,26А: мощность 1Вт: сопротивление 6 Ом
52.50 ₴
IRFR9024NTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.175 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
IRFR9024NTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.175 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
31.25 ₴
HYG090N06LS1C2 N-Channel 60V 60A 62.5W Surface Mount DFN-8(5.2x5.9)
HYG090N06LS1C2 N-Channel 60V 60A 62.5W Surface Mount DFN-8(5.2x5.9)
47.50 ₴
BD13816STU Транзистор: PNP: биполярный: 60В: 1,5А: 1,25Вт
BD13816STU Транзистор: PNP: биполярный: 60В: 1,5А: 1,25Вт
43.75 ₴
2SB1142
2SB1142
52.50 ₴
2SD1624T-TD-E Биполярный (BJT) одиночный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 1,5 Вт, SOT-89, для поверхностного монтажа.
2SD1624T-TD-E Биполярный (BJT) одиночный транзистор, NPN, 50 В, 3 А, 1,5 Вт, SOT-89, для поверхностного монтажа.
47.50 ₴