
| Производитель | NXP Semiconductors |
|---|
| Корпус | SOT430 |
|---|---|
| Коэффициент передачи тока (диапазон) | 4.8 - 12 |
| Макс. напряжение коллектор-база | 1.5 kV |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 800 V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 7.5 V |
| Макс. постоянный ток коллектора | 16 А |
| Мощность рассеяния | 125 Вт |
| Способ монтажа | Пайка в отверстия |
| Структура | NPN |
| Схема соединения | Одиночный |
| Корпус | SOT430 |
| Структура | NPN |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-база | 1.5 kV |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 800 V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 7.5 V |
| Макс. постоянный ток коллектора | 16 А |
| Мощность рассеяния | 125 Вт |
| Коэффициент передачи тока (диапазон) | 4.8 - 12 |
| Способ монтажа | Пайка в отверстия |