Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

Транзистор 2п901а

Код: 359
Недоступен
292 ₴
Транзистор 2п901а - фото 1 - id-p1381230866

Характеристики и описание

транзистор 2п901а

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IRLS4030TRLPBF 100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
IRLS4030TRLPBF 100V, 180A, 4.3 mOhm, 87 nC Qg, Logic Level, D2-PAK
333.80 ₴
BUL216 Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 90 Вт, 2 А, 40 hFE
BUL216 Биполярный транзистор, NPN, 800 В, 90 Вт, 2 А, 40 hFE
167.50 ₴
SPW20N60C3FKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 20.7 А, 190 мОм
SPW20N60C3FKSA1 MOSFET транзистор: N-канал, 600 В, 20.7 А, 190 мОм
251.30 ₴
STW11NM80 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STW11NM80 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 11 А: Rси(вкл): 0.4 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
395 ₴
NSVJ6904DSB6T1G Транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 20 мА, 40 мА, -1.8 В, CPH, JFET
NSVJ6904DSB6T1G Транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET), -25 В, 20 мА, 40 мА, -1.8 В, CPH, JFET
252.50 ₴
BD241C Транзистор: NPN: биполярный: 100В: 3А: 40Вт
BD241C Транзистор: NPN: биполярный: 100В: 3А: 40Вт
132.50 ₴
2SD1959
2SD1959
120 ₴
IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 100А, 167Вт
IPD031N06L3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 100А, 167Вт
378.80 ₴
STP14NM50N Транзистор: N-MOSFET: полевой: 500В: 8А: 90Вт: TO220
STP14NM50N Транзистор: N-MOSFET: полевой: 500В: 8А: 90Вт: TO220
148.80 ₴
FJPF5027RTU NPN 800V 3A TO-220F
FJPF5027RTU NPN 800V 3A TO-220F
133.80 ₴
IRF1310NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 42 А, 36 мОм
IRF1310NPBF MOSFET транзистор: N-канал, 100 В, 42 А, 36 мОм
243.80 ₴
AOTF11N70 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 7,2А, TO220F
AOTF11N70 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 7,2А, TO220F
120 ₴
STD4NK80ZT4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 3 А: Rси(вкл): 3...3,5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
STD4NK80ZT4 MOSFET транзистор - TO-252-3: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 3 А: Rси(вкл): 3...3,5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
133.80 ₴
AOD5B60D Транзистор: IGBT, 600В, 5А, 21,7Вт, TO252, Eвыкл: 0,04мДж
AOD5B60D Транзистор: IGBT, 600В, 5А, 21,7Вт, TO252, Eвыкл: 0,04мДж
147.50 ₴