Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор кп902а

Код: 64
В наличии
10+ купили
156 ₴
Заказ у продавца — от 200 ₴
Продавец Радио-ок
95%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
Транзистор кп902а - фото 1 - id-p1377517212

Характеристики и описание

кп902а  полевой транзистор, 90год, 

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (1)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Радио-ок
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

NCEP15T14T MOSFET, 150В, 140А, 5.6 мОм, TO-247-3
NCEP15T14T MOSFET, 150В, 140А, 5.6 мОм, TO-247-3
208.80 ₴
Транзисторы КТ819ВМ
Транзисторы КТ819ВМ
150 ₴
2SC5552
2SC5552
362.50 ₴
IRFP260MPBF МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 200 В, 0.04 Ом, 10 В, 4 В
IRFP260MPBF МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 200 В, 0.04 Ом, 10 В, 4 В
135 ₴
IPA70R600P7S МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 700 В, 0.49 Ом, 10 В, 3 В
IPA70R600P7S МОП-транзистор, N Канал, 8.5 А, 700 В, 0.49 Ом, 10 В, 3 В
137.50 ₴
FDB14N30-VB •N•140 W•14 A•18 nC•0.29 Ohm
FDB14N30-VB •N•140 W•14 A•18 nC•0.29 Ohm
268.80 ₴
IRFB4615PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 39 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB4615PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 150 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 39 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
307.50 ₴
STGW30NC60KD Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
STGW30NC60KD Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
390 ₴
NCE2030 20V 30A 10.5mΩ@10V,20A 40W 1 N-channel TO-220 MOSFETs
NCE2030 20V 30A 10.5mΩ@10V,20A 40W 1 N-channel TO-220 MOSFETs
116.30 ₴
IRS2453DSTRPBF Драйвер МОП-транзистора, полномостовой, 10В - 16.6В питание, 180мА/260мА выход, 15.6В фиксация
IRS2453DSTRPBF Драйвер МОП-транзистора, полномостовой, 10В - 16.6В питание, 180мА/260мА выход, 15.6В фиксация
207.50 ₴
TIP35C Биполярный транзистор - Тип: NPN: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 25 А: Pрасс: 125 Вт
TIP35C Биполярный транзистор - Тип: NPN: UКЭ(макс): 100 В: IК(макс): 25 А: Pрасс: 125 Вт
160 ₴
IPD034N06N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 100А, 167В
IPD034N06N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 100А, 167В
118.80 ₴
IRFR2905ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 59 А: Rси(вкл): 14.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR2905ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 59 А: Rси(вкл): 14.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
118.80 ₴
IRFB5620PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 200 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 72.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
IRFB5620PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 200 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 72.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
322.50 ₴