Prom – найбільший маркетплейс України

2N7000

Код: 13824
5.0 (1)
20+ купили
В наличии
2.70 ₴
Карточка Rozetka
+5%
бонусов с картой Rozetka
Заказ у продавца — от 50 ₴
Продавец Магазин радиодеталей Реостат
100%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
2N7000 - фото 1 - id-p1227549407

Характеристики и описание

2N7000
TO-92 N-MOSFET 60V 0.2A

Отзывы и вопросы

5.0 
  • Отзывы (1)
  • Вопросы (0)
  • 26.10.2024
    Роман М.
     Куплено на Prom.ua
Был online: Сегодня
Магазин радиодеталей Реостат
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRLU8743PBF MOSFET N-CH 30V 160A
IRLU8743PBF MOSFET N-CH 30V 160A
128.80 ₴
IRL3103PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 56 А: Rси(вкл): 12...16 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10
IRL3103PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 56 А: Rси(вкл): 12...16 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10
360 ₴
AO4421 Транзистор: P-MOSFET: полевой: -60В: -5А: 2Вт
AO4421 Транзистор: P-MOSFET: полевой: -60В: -5А: 2Вт
192.50 ₴
BUZ90 Транзистор полевой MOSFET, N, 75 Вт, 600 В, 4.5 А, 1.6 Ом
BUZ90 Транзистор полевой MOSFET, N, 75 Вт, 600 В, 4.5 А, 1.6 Ом
356.30 ₴
2N3819 PBFREE Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc: 15) 2...20мА
2N3819 PBFREE Транзистор JFET, N-канал, 25В, 10мА, 360мВт, Idss(при Vdc: 15) 2...20мА
228.80 ₴
SI2392ADS-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3,1А, Idm: 8А, 1,6Вт, SOT23
SI2392ADS-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 3,1А, Idm: 8А, 1,6Вт, SOT23
137.50 ₴
IRFR420ATRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR420ATRPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
183.80 ₴
STP11NK40ZFP MOSFET силовой транзистор — [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 9 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
STP11NK40ZFP MOSFET силовой транзистор — [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 9 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
241.30 ₴
STGP3HF60HD БТИЗ транзистор, 7.5 А, 2.45 В, 38 Вт, 600 В
STGP3HF60HD БТИЗ транзистор, 7.5 А, 2.45 В, 38 Вт, 600 В
316.30 ₴
IRFS4010TRL7PP MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 190 А: Rси(вкл): 4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
IRFS4010TRL7PP MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 190 А: Rси(вкл): 4 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
348.80 ₴
IPA80R1K4P7XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 800 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
IPA80R1K4P7XKSA1 МОП-транзистор, N Канал, 4 А, 800 В, 1.2 Ом, 10 В, 3 В
156.30 ₴
STGW30NC60KD Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
STGW30NC60KD Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
390 ₴
BS107P Транзистор: N-MOSFET: полевой: напряжение 200В: ток 0,12А: мощность 0,5Вт: сопротивление 30 Ом: TO92
BS107P Транзистор: N-MOSFET: полевой: напряжение 200В: ток 0,12А: мощность 0,5Вт: сопротивление 30 Ом: TO92
121.30 ₴
IRF9Z34NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 19 А: Rси(вкл): 0.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF9Z34NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 19 А: Rси(вкл): 0.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
176.30 ₴