Транзистор КТ837Б

подробное описание смотрите ниже в спецификации

Наименование: Транзистор биполярный КТ837Д

Группа: Транзисторы биполярные

Категория:

Примечание: ---

Год изготовления: 89 г.

Изготовитель: 

Способ упаковки: Упаковка заводская

 

Основные технические параметры КТ837Б:

КТ837Б
Транзисторы КТ837Б кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. 
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Б :
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо ― Обратный ток коллектора ― ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э ― Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80;
• Rкэ нас ― Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом

 

Транзисторы КТ837(2Т837) ― кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры ― p-n-p.
Корпус металло-пластик. Маркировка буквенно ― цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т ― от 10 до 40 
У транзисторов КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837М, КТ837П, КТ837У ― от 20 до 80 
У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф ― от 50 до 150 
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г ― от 15 до 120 
У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д ― от 30 до 150 
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е ― от 40 до 180

Граничная частота передачи тока. ― 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор ― эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н ― 60 в. 
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С ― 45 в. 
У транзисторов КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф ― 30 в. 
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г ― 55 в. 
У транзисторов 2Т837Д, 2Т837Б ― 45 в. 
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е ― 35 в. 
Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837 ― 7,5 А. 
У всех транзисторов 2Т837 ― 8 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер. 
У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н ― не более 2,5 в. 
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф ― не более 0,5 в. 
У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С ― не более 0,9 в. 
Обратный ток коллектора. ― не более 0,15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора. ― 30 Вт(с радиатором).

Зарубежные аналоги транзисторов КТ837

КТ837А ― 2SD685
КТ837Б ― 2T7534C 
КТ837В ― 2SB834, 2SB906 
КТ837Д ― 2N6111