IRF 9630 транзистор MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-220 75W

Транзистор IRF9630 (MOSFET P-Channel 200V 6.5A 75W TO-220)
Високовольтний польовий P-канальний транзистор, виготовлений за передовою технологією HEXFET® Power MOSFET. Призначений для використання в схемах комутації навантаження, де потрібне керування по позитивній шині живлення («плюсу»), а також у різноманітній силовій електроніці.

Завдяки високій швидкості перемикання та низькому опору у відкритому стані, цей транзистор забезпечує високу ефективність і надійність роботи електронних вузлів. Часто використовується у парі зі своїм комплементарним N-канальним аналогом (IRF630) у вихідних каскадах звукових підсилювачів. Випускається в класичному трививідному пластиковому корпусі TO-220 з металевою підкладкою для зручного монтажу на радіатор.

Сфери застосування:

• Високоякісні аудіопідсилювачі потужності (УНЧ).
• Драйвери керування електродвигунами та реле.
• Імпульсні блоки живлення та DC-DC перетворювачі.
• Схеми захисту від переполюсовки живлення та електронні ключі.

Основні технічні характеристики:

• Тип транзистора: MOSFET (польовий)
• Тип каналу: P-Channel (P-канальний)
• Максимальна напруга стік-витік (\(V_{DSS}\)): -200 В
• Максимальний струм стоку (\(I_{D}\)): -6.5 А (при температурі корпусу 25°C)
• Імпульсний струм стоку (\(I_{DM}\)): -26 А
• Максимальна потужність розсіювання (\(P_{D}\)): 75 Вт
• Опір відкритого каналу (\(R_{DS(on)}\)): 0.80 Ом (при \(V_{GS}\) = -10В)
• Діапазон напруги затвор-витік (\(V_{GS}\)): ±20 В
• Тип корпусу: TO-220 (TO-220AB)
• Тип монтажу: THT (в отвори на платі)