Prom – найбільший маркетплейс України

MJE15032

Код: 13539
В наличии
20+ купили
27 ₴
Заказ у продавца — от 50 ₴
Продавец Магазин радиодеталей Реостат
100%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
  • Иконка оплаты
    Оплата на счет
MJE15032 - фото 1 - id-p1015247871

Характеристики и описание

Основные

Производитель
ON Semiconductor

Пользовательские характеристики

Тип транзистораNPN
КорпусTO-220

MJE15032 ON Semiconductor

TO-220 NPN 250V 8A

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Все
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Магазин радиодеталей Реостат
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

BSP317PH6327 МОП транзистор 1.8 Вт , 430 мА , 250 В , 4 Ом , 1.72 А , -55…150°C
BSP317PH6327 МОП транзистор 1.8 Вт , 430 мА , 250 В , 4 Ом , 1.72 А , -55…150°C
95 ₴
NGTG15N60S1EG БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
NGTG15N60S1EG БТИЗ транзистор, 30 А, 1.75 В, 117 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
297.50 ₴
IRFBF30PBF Транзистор: МОП n-канальный: полевой: 900В: 3,6А: 125Вт: TO220AB
IRFBF30PBF Транзистор: МОП n-канальный: полевой: 900В: 3,6А: 125Вт: TO220AB
143.75 ₴
IRGS4056DPBF Транзистор: IGBT, 600В, 42А, 140Вт, D2PAK
IRGS4056DPBF Транзистор: IGBT, 600В, 42А, 140Вт, D2PAK
181.25 ₴
TIP147T Биполярный транзистор - TO-220-3, Тип: PNP, UКЭ(макс): 100 В, IК(макс): 10 А, Pрасс: 125 Вт, h21: от 500
TIP147T Биполярный транзистор - TO-220-3, Тип: PNP, UКЭ(макс): 100 В, IК(макс): 10 А, Pрасс: 125 Вт, h21: от 500
111.25 ₴
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт
IPD082N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 80А, 125Вт
228.75 ₴
IRFR540ZTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 28.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
IRFR540ZTRPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 35 А: Rси(вкл): 28.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
163.75 ₴
IRFI540NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 18 А: Rси(вкл): 52 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFI540NPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 18 А: Rси(вкл): 52 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
170 ₴
TTA008B,Q 80V 1.5W 100@500mA,2V 2A PNP TO-126N Bipolar (BJT)
TTA008B,Q 80V 1.5W 100@500mA,2V 2A PNP TO-126N Bipolar (BJT)
143.75 ₴
IPD70N03S4L04ATMA1 Силовой МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А, 0,0036 Ом, TO-252 (DPAK)
IPD70N03S4L04ATMA1 Силовой МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 70 А, 0,0036 Ом, TO-252 (DPAK)
262.50 ₴
FDP3651U Транзистор: N-MOSFET, полевой. 100В. 80А. 255Вт
FDP3651U Транзистор: N-MOSFET, полевой. 100В. 80А. 255Вт
233.75 ₴
IRL640PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс(25°C): 68 А: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 66 нКл: Pрасс: 125
IRL640PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс(25°C): 68 А: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 66 нКл: Pрасс: 125
136.25 ₴
IRFI510GPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 4.5 А: Rси(вкл): 0.54 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
IRFI510GPBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 4.5 А: Rси(вкл): 0.54 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20
233.75 ₴
STP200NF04 MOSFET транзистор - TO-220: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 120 А: Rси(вкл): 3.7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 170 нКл
STP200NF04 MOSFET транзистор - TO-220: Тип: N: Uси: 40 В: Iс(25°C): 120 А: Rси(вкл): 3.7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 170 нКл
237.50 ₴