Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор IGBT Silan Microelectronics в Украине

Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN
Транзистор IGBT SGT50T65FD1PN
Готово к отправке
5.0 
75 

Транзистор IGBT JT040K065WED 40A 650В TO247, силовой, Original
Транзистор IGBT JT040K065WED 40A 650В TO247, силовой, Original
Готово к отправке
5.0 
99 

SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A
SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A
В наличии
123.75 

SGT60N60FD1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25 , TO247
SGT60N60FD1P7 Тип транзистора: IGBT + Diode, 600 V, 321 W, 120 A @25 , TO247
В наличии
от 25 /мес
246.25 

SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2PN 380 Вт, 600 В, 80 А
В наличии
132.50 

SGT40N60NPFDPN 290 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60NPFDPN 290 Вт, 600 В, 80 А
В наличии
132.50 

SGT40N60FD2P7 380 Вт, 600 В, 80 А
SGT40N60FD2P7 380 Вт, 600 В, 80 А
В наличии
140 

SGT50T65FD1P7 235 Вт, 650 В, 100 А
SGT50T65FD1P7 235 Вт, 650 В, 100 А
В наличии
156.25 

SGT20T60SDM1P7 46 Вт, 600 В, 40 А
SGT20T60SDM1P7 46 Вт, 600 В, 40 А
В наличии
188.75 

SGT60N60FD1PN 321 Вт, 600 В, 120 А
SGT60N60FD1PN 321 Вт, 600 В, 120 А
В наличии
от 20 /мес
205 

SGT40U120FD1P7 IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25 , TO247
SGT40U120FD1P7 IGBT + Diode, 312 W, 1200 V, 80 A @25 , TO247
В наличии
от 26 /мес
262.50 

SGT60T65FD1PN 450 Вт, 650 В, 120 А
SGT60T65FD1PN 450 Вт, 650 В, 120 А
В наличии
от 27 /мес
273.75 

SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
SGT25U120FD1P7 IGBT + Diode, N, 278 W, Vce:1200 V, Ic:50 A, 128 pF
В наличии
от 32 /мес
320 

SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
В наличии
от 36 /мес
360 

SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А
В наличии
от 36 /мес
360 

SGT40T120FD1P7 NPN 312 W 1.2 kV 80 A
SGT40T120FD1P7 NPN 312 W 1.2 kV 80 A
В наличии
от 39 /мес
391.25