Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор биполярный с64в в Украине

BSS64.215 Транзистор: NPN: биполярный: 80В: 100мА: 250мВт
BSS64.215 Транзистор: NPN: биполярный: 80В: 100мА: 250мВт
В наличии
15 

MD2103DFP Биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения, 700 В. 6 А
MD2103DFP Биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения, 700 В. 6 А
В наличии
297.50 

BDV64BG Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 100В: 10А: 125Вт
BDV64BG Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 100В: 10А: 125Вт
В наличии
572.50 

FGH40T100SMD Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) , 1000В, 80A, TO247
FGH40T100SMD Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) , 1000В, 80A, TO247
В наличии
812.50 

UMD9NTR Биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения NPN/PNP 50 В. 70 мА
UMD9NTR Биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения NPN/PNP 50 В. 70 мА
В наличии
17.50 

IRG4PC40W (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 40A 160W TO247В
IRG4PC40W (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 40A 160W TO247В
Готово к отправке
179.40 

IRG4PC50UD (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 55A 200W TO247В
IRG4PC50UD (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 55A 200W TO247В
Готово к отправке
от 105 /мес
209.70 

Транзистор ВС847С NРN биполярный, чип 100 шт в корпусе SОТ-23 ВС847 1G
Транзистор ВС847С NРN биполярный, чип 100 шт в корпусе SОТ-23 ВС847 1G
В наличии
78 
97.50 

Транзистор биполярный П605, в сборе с радиатором
Транзистор биполярный П605, в сборе с радиатором
В наличии
60 

Чип BC847С 100ШТ BC847 1G SOT-23, Транзистор биполярный NPN, Напряжение 45 В, Ток 0.1 А
Чип BC847С 100ШТ BC847 1G SOT-23, Транзистор биполярный NPN, Напряжение 45 В, Ток 0.1 А
Готово к отправке
66 

П210Ш транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
П210Ш транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
Готово к отправке
3.0 
67.60 

П210А транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
П210А транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
Готово к отправке
4.9 
67.60 

UMF5NTR Биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения DUAL PNP 12В 500 мА
UMF5NTR Биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения DUAL PNP 12В 500 мА
В наличии
18.75 

IRG4PC40W (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 40A 160W TO247В
IRG4PC40W (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 40A 160W TO247В
В наличии
179.40 

IRG4PC50UD (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 55A 200W TO247В
IRG4PC50UD (Infineon) Біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) 600V Warp 55A 200W TO247В
Под заказ
209.70 

IKW40N65H5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
IKW40N65H5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
В наличии
205 

П210А транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
П210А транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
В наличии
5.0 
67.60 

П210Ш транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
П210Ш транзистор германієвий PNP (12А 64В) 60W
В наличии
67.60 

IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 90 А, 1.65 В, 395 Вт, 650 В
IKW75N65EH5XKSA1 Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 90 А, 1.65 В, 395 Вт, 650 В
В наличии
1 590 

STGP19NC60HD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A, 600 В.
STGP19NC60HD Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A, 600 В.
В наличии
337.50 

Фланец с ямкой под транзистор Кт803, кт808, кт809, кт903, кт908. В лоте 1 штука!
Фланец с ямкой под транзистор Кт803, кт808, кт809, кт903, кт908. В лоте 1 штука!
В наличии
5.0 
2 

Фланец с ямкой под транзистор п701, п215, п216, п217, п303, п304, п605, п606, п607. В лоте 1 штука!
Фланец с ямкой под транзистор п701, п215, п216, п217, п303, п304, п605, п606, п607. В лоте 1 штука!
В наличии
5.0 
2 

MMBTA64LT1G Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 30В: 1,2А: 350мВт
MMBTA64LT1G Транзистор: PNP: биполярный: Дарлингтон: 30В: 1,2А: 350мВт
В наличии
8.75 

КТ837С транзистор PNP (7,5А 60В) (h21э 50-150) 30W (ТО220)
КТ837С транзистор PNP (7,5А 60В) (h21э 50-150) 30W (ТО220)
В наличии
5.0 
21 

КП934В транзистор полевые со статической индукцией и каналом n-типа (10А 300В) 40W (ТО-3)
КП934В транзистор полевые со статической индукцией и каналом n-типа (10А 300В) 40W (ТО-3)
В наличии
46.60 

FGHL50T65SQ Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), 650В, 100A, TO247
FGHL50T65SQ Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), 650В, 100A, TO247
В наличии
742.50 

КТ6114Б транзистор NPN (1,5А 25В) (h21э:45-630) 1W (ТО92) (аналог SS8050B, С, В)
КТ6114Б транзистор NPN (1,5А 25В) (h21э:45-630) 1W (ТО92) (аналог SS8050B, С, В)
В наличии
4.70 

КТ837С транзистор PNP (7,5А 60В) (h21э 50-150) 30W (ТО220)
КТ837С транзистор PNP (7,5А 60В) (h21э 50-150) 30W (ТО220)
В наличии
21 

КТ6114В транзистор NPN (1,5А 25В) (h21э:45-630) 1W (ТО92) (аналог SS8050B, С, В)
КТ6114В транзистор NPN (1,5А 25В) (h21э:45-630) 1W (ТО92) (аналог SS8050B, С, В)
В наличии
4.70 

Показано 1 - 29 товаров из 60+