Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 650В 40А в Украине

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 134 Вт; D2PAK; Характеристики: логический уровень
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 134 Вт; D2PAK; Характеристики: логический уровень
Под заказ
698 

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 283 Вт; TO3P
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 283 Вт; TO3P
Под заказ
402 

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 134 Вт; TO3P
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 134 Вт; TO3P
Под заказ
455 

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 150 Вт; TO247; Eoff: 0,46 мДж; Eon: 1,27 мДж
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 150 Вт; TO247; Eoff: 0,46 мДж; Eon: 1,27 мДж
Под заказ
477 

Транзистор FGA40N65 (FGA40N65SMD) IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Транзистор FGA40N65 (FGA40N65SMD) IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
В наличии
5.0 
82.99 

FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] (восстановленные ножки)
FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN] (восстановленные ножки)
В наличии
5.0 
82.99 

Транзистор с технологией Field Stop Trench, 650В, ном. ток 40А YGW40N65F1 (пр-во Завод) CH
Транзистор с технологией Field Stop Trench, 650В, ном. ток 40А YGW40N65F1 (пр-во Завод) CH
Готово к отправке
68.60 
74 

Транзистор с технологией Field Stop Trench, 650В, ном. ток 40А, 40T65FDSC (Magnachip Semiconductor) ВС
Транзистор с технологией Field Stop Trench, 650В, ном. ток 40А, 40T65FDSC (Magnachip Semiconductor) ВС
Готово к отправке
114 
120 

FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
FGA40N65 (FGA40N65SMD), Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
Готово к отправке
5.0 
82.99 

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 152 Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 152 Вт; TO247-3
Под заказ
420 

MDD10N65F МОП-транзистор, 650 В, 10 А, 40 Вт, 810 мОм при 10 В, 5 А 2 В при 250 мкА NChannel TO-220F
MDD10N65F МОП-транзистор, 650 В, 10 А, 40 Вт, 810 мОм при 10 В, 5 А 2 В при 250 мкА NChannel TO-220F
В наличии
65 

IKW40N65WR5 Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 115Вт,
IKW40N65WR5 Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 115Вт,
В наличии
331.25 

WG40N65DFWQ Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 125Вт, TO247-3
WG40N65DFWQ Транзистор: IGBT, 650В, 40А, 125Вт, TO247-3
В наличии
377.50 

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 115 Вт; TO247-3
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; 115 Вт; TO247-3
Под заказ
443 

BCP56.115 Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 80 В: IК(макс): 1 А: Pрасс: 650 mW: Fгран: 180 МГц: h21:
BCP56.115 Биполярный транзистор - [SOT-223]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 80 В: IК(макс): 1 А: Pрасс: 650 mW: Fгран: 180 МГц: h21:
В наличии
22.50 

N-канальный igbt транзистор jt075n065wed 75а 650в корпус to-247 применяется в силовых инверторах sea
N-канальный igbt транзистор jt075n065wed 75а 650в корпус to-247 применяется в силовых инверторах sea
Готово к отправке
369 
462 

Транзистор MOSFET G011N04 HYG011N04LS1TA 320А 40В 0,9мОм
Транзистор MOSFET G011N04 HYG011N04LS1TA 320А 40В 0,9мОм
Под заказ
5.0 
60.70 

Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; TO247AD
Транзистор: IGBT; 650 В; 40 А; TO247AD
Под заказ
534 

Транзистор FGH40N60SFD IGBT 600В 40А TO-247 силовой для сварочных инверторов и импульсных схем
Транзистор FGH40N60SFD IGBT 600В 40А TO-247 силовой для сварочных инверторов и импульсных схем
Готово к отправке
5.0 
77.20 
110.29 

Транзистор SS8550 PNP Y2 40 В 1.5 А SOT-23 SMD биполярный общего назначения fT до 150 МГц 300 мВт
Транзистор SS8550 PNP Y2 40 В 1.5 А SOT-23 SMD биполярный общего назначения fT до 150 МГц 300 мВт
Готово к отправке
1.20 
1.50 

Транзистор SS8050 NPN Y1 40 В 1.5 А SOT-23 SMD биполярный для усиления и коммутации сигналов fT до 150 МГц
Транзистор SS8050 NPN Y1 40 В 1.5 А SOT-23 SMD биполярный для усиления и коммутации сигналов fT до 150 МГц
Готово к отправке
1.20 
1.50 

Транзистор JT075N065WED IGBT 650В 75А TO-247 силовой для сварочных инверторов и импульсных схем
Транзистор JT075N065WED IGBT 650В 75А TO-247 силовой для сварочных инверторов и импульсных схем
Готово к отправке
5.0 
108.50 
155 

MMBT3904, (1AM), транзистор біполярний NPN, 40В 0.2 А SOT23
MMBT3904, (1AM), транзистор біполярний NPN, 40В 0.2 А SOT23
Готово к отправке
179 
400 

Транзистор: N-MOSFET; однополярный; 650 В; 34 А; Idm: 136 А; 40 Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; однополярный; 650 В; 34 А; Idm: 136 А; 40 Вт; TO220FP
Под заказ
760 

Транзистор SUD40N06-25L MOSFET N-канальный 60В 30А TO-252 DPAK силовой полевой для автомобилей и DC-DC схем
Транзистор SUD40N06-25L MOSFET N-канальный 60В 30А TO-252 DPAK силовой полевой для автомобилей и DC-DC схем
Готово к отправке
5.0 
14.20 
20.29 

Транзистор SS8050 NPN Y1 40 В 1.5 А SOT-23 SMD
Транзистор SS8050 NPN Y1 40 В 1.5 А SOT-23 SMD
Готово к отправке
1.20 
1.71 

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh V; однополярный; 650 В; 22 А; 40 Вт; защита от электростатического разряда.
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh V; однополярный; 650 В; 22 А; 40 Вт; защита от электростатического разряда.
Под заказ
918 

MMBT3904, (1AM), транзистор біполярний NPN, 40В 0.2 А SOT23
MMBT3904, (1AM), транзистор біполярний NPN, 40В 0.2 А SOT23
Готово к отправке
179 
400 

IKW40N65H5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
IKW40N65H5FKSA1 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 А, 1.65 В, 255 Вт, 650 В
В наличии
392.50 

Показано 1 - 29 товаров из 900+