Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL, 30 В, 112 А, 136 Вт (набір 20 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL, 30 В, 112 А, 136 Вт (набір 20 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020916
Price: 3200 UAH
Availability: InStock

Код: TM020916

В наявності

3 200 ₴

+1%

бонусів з карткою Rozetka

Продавець Iskra

100%

Доставка

Підписка на доставку Smart
Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
Дізнатися більше
Нова Пошта

Оплата та гарантії

Безпечна оплата карткою
Без переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинами
Без переплат*, від 533 ₴ / міс.
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL, 30 В, 112 А, 136 Вт (набір 20 шт.) - фото 1 - id-p3243321057

Характеристики та опис

Основні

Виробник	STMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання	136 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік	20 В
Максимально допустима напруга стік-витік	30 В
Максимально допустимий струм стоку	112 А
Опір у відкритому стані (Rds)	4.2 mOm
Тип монтажу	Вставний
Тип транзистора	Польовий

Додаткові характеристики

Стан	Новий

Користувальницькі характеристики

Гарантійний термін	12 міс
Кількість у комплекті	20 шт.
Корпус	TO220-3
Технологія	STripFET™ H6

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP160N3LL — це польовий транзистор із каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220-3. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 30 В, струм стоку 112 А та потужність розсіювання 136 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 4,2 мОм.

Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
Максимальна напруга стік-витік: 30 В
Максимальний струм стоку: 112 А
Потужність розсіювання: 136 Вт
Опір у відкритому стані (Rds): 4,2 мОм
Корпус: TO220-3, монтаж вставний

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 30 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 112 А, а максимальна потужність розсіювання — 136 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 4,2 мОм, що характеризує провідність каналу при повному відкритті.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією STripFET™ H6 та має тип монтажу «вставний» (THT). Корпус TO220-3. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачений (enhancement).

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів STP160N3LL. Максимальний імпульсний струм стоку становить 480 А, а заряд затвора — 42 нКл.

Схожі товари за характеристиками