Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF4N80K5, 800 В, 3 А, TO220FP (набір 20 шт.)
Код: TM206693
В наявності
3 880 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 647 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF4N80K5 — це польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі TO220FP. Прилад характеризується максимальною напругою стік-витік 800 В та струмом стоку 3 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 3 А
- Корпус: TO220FP
- Максимальна потужність розсіювання: 20 Вт
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор розрахований на робочу напругу стік-витік до 800 В. Максимально допустимий струм стоку становить 3 А, а в імпульсному режимі (Idm) він може досягати 12 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 20 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) складає 2500 мОм, а максимально допустима напруга затвор-витік обмежена 30 В.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220FP, який забезпечує вставний тип монтажу. Це уніполярний транзистор з каналом збагачувального типу. Заряд затвора становить 10,5 нКл.
КомплектаціяУ наборі постачається 20 шт. транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
