
| Максимальна потужність розсіювання | 424 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 280 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.1 mOm |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
Одинарний MOSFET-транзистор DACO Semiconductor DAMI320N100 у корпусі SOT227B. Призначений для роботи з напругою до 100 В та струмом до 280 А.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 100 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 280 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 2.1 mOm.
Структура та тип транзистораМодуль має структуру одинарного транзистора та є уніполярним. Це напівпровідниковий модуль типу MOSFET.
Монтаж та потужність