Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N, 600 В, 5 А, DPAK набір 20 шт.
Код: TM206676
В наявності
3 240 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 540 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N — польовий транзистор з каналом збагачення (unipolarny) у корпусі DPAK. Максимальна напруга стік-витік — 600 В, максимальний струм стоку — 5 А.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 5 А
- Потужність розсіювання: 70 Вт
- Корпус: DPAK (поверхневий монтаж)
- Опір у відкритому стані: 550 мОм
Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В. Максимальний струм стоку — 5 А, а потужність розсіювання — 70 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 550 мОм.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у поверхневому монтажі у корпусі DPAK. Тип монтажу: поверхневий. Корпус: DPAK.
Комплектація та каналУ комплекті 20 шт. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), полярність — уніполярна (unipolarny).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
