
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.6 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF100N6F7 — польовий транзистор у корпусі TO220FP. Комплект складається з 20 одиниць, призначених для монтажу у електронні схеми.
Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а максимально допустимий струм стоку — 46 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 5.6 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Максимальна потужність розсіювання — 25 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 20 В.
Комплектація та корпусКомплект містить 20 транзисторів у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вставний, що відповідає технології встановлення в отвори друкованих плат. Корпус TO220FP. Транзистор є уніполярним із каналом типу «wzbogacany» (збагачений канал), що визначає його як польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений канал). Заряд затвора становить 30 нКл. Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) досягає 184 А.