Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N, 600 В, 6,93 А, 25 Вт (набір 10 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N, 600 В, 6,93 А, 25 Вт (набір 10 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM232657
Price: 4030 UAH
Availability: InStock

Код: TM232657

В наявності

4 030 ₴

+5%

бонусів з карткою Rozetka

Продавець Iskra

100%

Доставка

Підписка на доставку Smart
Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
Дізнатися більше
Нова Пошта

Оплата та гарантії

Безпечна оплата карткою
Без переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинами
Без переплат*, від 672 ₴ / міс.
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N, 600 В, 6,93 А, 25 Вт (набір 10 шт.) - фото 1 - id-p3243202989

Характеристики та опис

Основні

Виробник	STMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання	25 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік	25 В
Максимально допустима напруга стік-витік	600 В
Максимально допустимий струм стоку	6.93 А
Опір у відкритому стані (Rds)	360 mOm
Тип монтажу	Вставний
Тип транзистора	Польовий

Додаткові характеристики

Стан	Новий

Користувальницькі характеристики

Гарантійний термін	12 міс
Кількість у комплекті	10 шт.
Корпус	TO220FP
Технологія	MDmesh™ II

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13NM60N — це польовий транзистор з каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ II. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 6,93 А при потужності розсіювання 25 Вт.

Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, канал збагачення
Максимальна напруга стік-витік: 600 В
Максимальний струм стоку: 6,93 А
Потужність розсіювання: 25 Вт
Опір у відкритому стані (Rds): 360 мОм
Корпус: TO220FP, вставний монтаж
Технологія: MDmesh™ II
Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 6,93 А. Максимальна потужність розсіювання становить 25 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 360 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це однополярний транзистор з каналом збагачення, що відповідає специфікації N-MOSFET. Технологія виробництва MDmesh™ II визначає конструктивні особливості структури приладу.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 10 транзисторів STF13NM60N.

Схожі товари за характеристиками