Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP, 600В, 8,5А, TO220FP (набір 10 шт.)
Код: TM037161
В наявності
3 690 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 615 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP14NK60ZFP — це уніполярний напівпровідниковий прилад з підвищеним каналом. Модель виконана в корпусі TO220FP та реалізується комплектом із 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, з підвищеним каналом
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 8,5 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 8,5 А. Напруга затвор-джерело становить ±30 В.
Потужність та опірПотужність розсіювання становить 40 Вт, а опір у стані провідності — 0,5 Ом.
Технологія та монтажКомпонент виготовлений за технологією SuperMesh™ та має версію ESD. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж).
Комплектація та ідентифікаціяУ пакуванні міститься 10 транзисторів STP14NK60ZFP. Символ виробника: STP14NK60ZFP.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
