Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z, 600В, 5,7А, TO220-3 набір 10 шт.
Код: TM156902
В наявності
3 210 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 535 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™. Модель має напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 5,7 А.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 5,7 А
- Потужність розсіювання 115 Вт
- Технологія SuperMesh™
- Версія ESD
- Набір із 10 транзисторів у корпусі TO220-3
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 600 В. Струм дрена становить 5,7 А. Напруга між затвором і витоком становить ±30 В.
Потужність та опірПотужність розсіювання транзистора становить 115 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,75 Ом. Компонент має збагачуваний канал.
Технологія та захистКомпонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Транзистор має версію ESD.
Корпус та комплектаціяТранзистор має корпус TO220-3 із типом монтажу THT. Товар поставляється набором із 10 штук.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
