Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1, 75А, 1200В
Код: TM035699
В наявності
5 210 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 868 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Максимально допустимий струм колектора | 200 А |
|---|
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | V1 |
| Виробник | HUAJING |
| Технологія | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM75D12V1 — це напівпровідниковий компонент із топологією напівмістка. Модель має номінальний струм колектора 75 А та максимальну зворотну напругу 1200 В.
- Номінальний струм колектора 75 А
- Імпульсний струм до 200 А
- Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
- Топологія: напівмісток IGBT
- Монтаж: болтовий або FASTON
Модуль реалізує структуру «транзистор/транзистор» у топології напівмістка IGBT. Номінальний струм колектора становить 75 А, а імпульсний струм може досягати 200 А. Максимальна зворотна напруга (Urmax) дорівнює 1,2 кВ, що визначає межі безпечної експлуатації компонента.
Механічний монтажЕлектричне підключення здійснюється за допомогою конекторів FASTON або болтових з'єднань (прикручуваний монтаж). Механічна установка виконується методом прикручування. Максимальна напруга між затвором та емітером обмежена значенням ±30 В.
ПризначенняЗгідно з даними виробника, модуль призначений для використання в системах безперебійного живлення (UPS) та інверторах.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
