Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z, 800 В, 6,6 А, TO247 (набір 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12NK80Z — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу стік-витік до 800 В та струм стоку 6,6 А. Прилад виконаний у корпусі TO247 з технологією SuperMesh™ та має максимальну потужність розсіювання 190 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 6,6 А
• Потужність розсіювання: 190 Вт
• Корпус: TO247, монтаж вставний
• Опір у відкритому стані: 650 мОм
• Кількість у наборі: 5 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 800 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимальний струм стоку становить 6,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 650 мОм. Максимальна потужність розсіювання приладу — 190 Вт.

Компонент виготовлений у корпусі TO247 з вставним типом монтажу. Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Використовується технологія SuperMesh™.

У комплекті поставляється 5 транзисторів. Версія компонента позначена як ESD.