Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N, 600 В, 8.2 А, TO220FP (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF18NM60N — це польовий транзистор з каналом збагачення та технологією MDmesh™ II. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 600 В, струм стоку 8.2 А та потужність розсіювання 30 Вт. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі TO220FP.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 8.2 А
• Потужність розсіювання: 30 Вт
• Опір у відкритому стані: 285 мОм
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 600 В та напругою затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 8.2 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 285 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 30 Вт.

Компонент виготовлений у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом збагачення (wzbogacany) та уніполярною поляризацією. Технологія MDmesh™ II визначає структуру кристала.

У наборі міститься 10 транзисторів STF18NM60N. Символ виробника: STF18NM60N.