
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 158 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFETTM |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP140N6F7 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією STripFET™. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 80 А. У комплекті поставляється 20 одиниць у корпусі TO220-3.
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 80 А, а імпульсний струм — 320 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.5 мОм, що визначає ефективність при пропусканні струму.
Потужність та конструкціяМаксимальна потужність розсіювання для цього компонента становить 158 Вт. Поляризація пристрою — уніполярна, канал — збагачений (enhancement).
Комплектація та монтажУ наборі міститься 20 транзисторів STP140N6F7. Кількість у комплекті вказана як 20 шт.