Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD, 600 В, 12,6 А, TO247 (5 шт.)
Код: TM114389
В наявності
3 370 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 562 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 214 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | FDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD — це польовий транзистор з каналом типу «збагачений» та технологією FDmesh™.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 12,6 А
- Потужність розсіювання: 214 Вт
- Корпус: TO247, монтаж у отвори
- Комплектація: 5 шт.
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а максимально допустимий струм стоку — 12,6 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 214 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 260 мОм.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі TO247 з вставним типом монтажу. Поляризація транзистора — уніполярна. Максимально допустима напруга затвор-витік — 30 В.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
