
| Максимальна потужність розсіювання | 21.5 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 41 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | DFN3.3x3.3 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
N-MOSFET транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR моделі AONR62818 у корпусі DFN3.3x3.3. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 80 В та струм стоку 41 А. У комплекті 30 одиниць.
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу N. Максимально допустима напруга стік-витік становить 80 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 41 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 6.6 мОм.
Потужність та монтажМаксимальна потужність розсіювання — 21.5 Вт. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Корпус DFN3.3x3.3.
Додаткові характеристики та комплектаціяЗаряд затвора становить 34 нКл. Канал типу збагачення (enhancement). У наборі 30 транзисторів ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONR62818.