
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 400 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1800 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | I2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD5NK40Z-1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із збагачуваним каналом, призначений для роботи під напругою до 400 В. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі I2PAK, що забезпечує зручний монтаж на друковану плату.
Транзистор розрахований на постійну напругу між стоком та витоком 400 В. Максимальний струм стоку становить 1,9 А, а потужність розсіювання — 45 Вт. Ці параметри гарантують стабільну роботу пристрою в умовах високого навантаження.
Зручний монтаж та захистПрилад виконаний у корпусі I2PAK із виводами для встановлення на поверхню друкованої плати (THT). Технологія SuperMesh™ та версія ESD забезпечують підвищену стійкість до електростатичних розрядів. Опір у стані провідності дорівнює 1,8 Ом, що мінімізує втрати енергії під час роботи.
КомплектаціяУ набір входить 20 транзисторів STD5NK40Z-1. Така кількість оптимальна для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька силових ключів.