
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 15 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 25 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель вирізняється технологією SuperMesh™ та версією ESD. Напруга затвор-джерело становить ±15 В.
Транзистор має потужність розсіювання 150 Вт. Цей параметр визначає максимальну теплову навантаженість компонента під час роботи.
Електричні параметриМаксимальний струм дренажу становить 25 А, а напруга дренаж-джерело — 100 В. Напруга затвор-джерело дорівнює ±15 В.
Корпус та монтажКомпонент виконаний у корпусі D2PAK із типом монтажу SMD. Опір у стані провідності становить 36 мОм.
Версія ESDТранзистор випускається у версії ESD. Ця характеристика вказана в специфікації виробника.
Транзистор STB40NF10LT4 поставляється набором із 10 штук. Компонент має символ виробника STB40NF10LT4.