Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500 В, 6,3 А, TO220-3 (набір 10 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500 В, 6,3 А, TO220-3 (набір 10 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020907
Price: 3460 UAH
Availability: InStock

Код: TM020907

В наявності

3 460 ₴

+5%

бонусів з карткою Rozetka

Продавець Iskra

100%

Доставка

Підписка на доставку Smart
Безкоштовно — у відділення Нової Пошти
Дізнатися більше
Нова Пошта

Оплата та гарантії

Безпечна оплата карткою
Без переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинами
Без переплат*, від 577 ₴ / міс.
Детальніше
Післяплата
Нова Пошта, Самовивіз

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z, 500 В, 6,3 А, TO220-3 (набір 10 шт.) - фото 1 - id-p3243285688

Характеристики та опис

Основні

Виробник	STMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання	125 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік	30 В
Максимально допустима напруга стік-витік	500 В
Максимально допустимий струм стоку	6.3 А
Опір у відкритому стані (Rds)	520 mOm
Тип монтажу	Вставний
Тип транзистора	Польовий

Додаткові характеристики

Стан	Новий

Користувальницькі характеристики

Версія	ESD
Гарантійний термін	12 міс
Кількість у комплекті	10 шт.
Корпус	TO220-3
Технологія	SuperMesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP11NK50Z — польовий транзистор з каналом, що збагачується, розрахований на напругу стік-витік 500 В та струм стоку 6,3 А. Виріб виготовлений за технологією SuperMesh™ у корпусі TO220-3 та має захист від електростатичного розряду (ESD).

Тип транзистора: польовий N-MOSFET
Максимальна напруга стік-витік: 500 В
Максимальний струм стоку: 6,3 А
Потужність розсіювання: 125 Вт
Корпус: TO220-3, вставний монтаж
Технологія: SuperMesh™, версія ESD
Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 500 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 6,3 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 520 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 125 Вт. Пристрій виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Тип каналу: збагачуваний (wzbogacany), полярність — уніполярна.

Комплектація

Товар постачається набором, що містить 10 транзисторів.

Схожі товари за характеристиками