
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 150 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT STMicroelectronics STGWA50IH65DF у корпусі TO247-3. Максимальна напруга колектор-емітер становить 650 В, струм колектора — 50 А, максимальна потужність розсіювання — 300 Вт.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою колектор-емітер 650 В. Максимально допустимий струм колектора дорівнює 150 А, а струм колектора — 50 А. Максимальна потужність розсіювання становить 300 Вт.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO247-3 із вставним типом монтажу. Заряд затвора становить 158 нКл, а максимально допустима напруга затвор-емітер — ±20 В.
КомплектаціяУ наборі постачається 10 транзисторів.