Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2, 600 В, 42 А, TO247 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2 — це польовий транзистор з каналом збагачення, що працює за технологією MDmesh™ DM2. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та струм стоку 42 А, має корпус TO247 для вставного монтажу.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, канал збагачення)
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 42 А
• Потужність розсіювання: 446 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 37 мОм
• Корпус: TO247, вставний монтаж
• Технологія: MDmesh™ DM2
• Кількість у комплекті: 3 шт.

Транзистор витримує максимальну напругу стік-витік 600 В та напругу затвор-витік 25 В. Максимально допустимий струм стоку становить 42 А, а потужність розсіювання — 446 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 37 мОм.

Прилад виготовлений у корпусі TO247, що забезпечує вставний тип монтажу. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення (N-MOSFET). Використовується технологія MDmesh™ DM2.

У наборі поставляється 3 шт. транзисторів STW70N60DM2.