Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF13N60M2, 600V, 7A, TO220FP (набір 20 шт.)
Код: TM156868
В наявності
3 730 ₴
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 622 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STF13N60M2 у корпусі TO220FP. Транзистор з напругою стік-джерело 600 В та струмом стіка 7 А.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-джерело: 600 В
- Струм стіка: 7 А
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: TO220FP (THT монтаж)
- Технологія: MDmesh™ II Plus
- Кількість у наборі: 20 шт.
Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ II Plus. Номінальна напруга стік-джерело становить 600 В. Максимальний струм стіка — 7 А, а потужність розсіювання — 25 Вт.
Зручний монтаж та захистКомпонент має корпус TO220FP з виводами для встановлення на плату (THT). Компонент має версію ESD. Опір у відкритому стані становить 0,38 Ом.
КомплектаціяУпаковка містить 20 одиниць транзисторів STF13N60M2. Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany). Максимальна напруга затвор-джерело становить ±25 В.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
