Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2, 650 В, 20 А (5 шт.)
Код: TM206691
В наявності
3 360 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 560 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 20 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF35N65DM2 — це польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією MDmesh™ DM2. Максимальна напруга стік-витік: 650 В, максимальний струм стоку: 20 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Максимальний струм стоку: 20 А
- Опір у відкритому стані: 110 мОм
- Корпус: TO220FP
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 20 А, а імпульсний струм може досягати 90 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 110 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 40 Вт.
Конструкція та монтажТранзистор виконаний у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 25 В. Заряд затвора становить 56,3 нКл.
Канал та полярністьТранзистор має збагачуваний канал (wzbogacany) та є уніполярним (unipolarny).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
