Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T, P-MOSFET, TO220, 20 шт.
Код: TM018652
В наявності
3 700 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 617 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Максимальна потужність розсіювання | 294 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T — це польовий транзистор типу P-MOSFET у корпусі TO220. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий
- Тип монтажу: Вставний
- Максимальна потужність розсіювання: 294 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Корпус: TO220
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Максимальна потужність розсіювання становить 294 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В.
Конструкція та монтажТип монтажу — вставний. Корпус: TO220.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
