Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24N60M2, 600V, 12A, TO220-3 (набір 10 шт.)
Код: TM156906
В наявності
3 320 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 553 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STP24N60M2. Компоненти виготовлені за технологією MDmesh™ II Plus у корпусі TO220-3.
- Тип: N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Максимальний струм дрена: 12 А
- Опір у стані провідності: 0,19 Ом
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ II Plus, версія ESD
- Кількість у наборі: 10 шт.
Транзистори розраховані на напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 12 А.
Ефективна технологія MDmesh™ II PlusОпір у стані провідності (Rds) становить 0,19 Ом.
Зручний монтаж та захистКомпоненти мають виводи для вивідного монтажу (THT) та версія ESD. Корпус TO220-3.
КомплектаціяУ пакуванні міститься 10 транзисторів STP24N60M2. Транзистори мають вбудований захист від електростатичного розряду (ESD) та виводи для вивідного монтажу (THT).
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
