Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6, 600 В, 19 А, TO220-3 (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6 — польовий транзистор з вбудованим каналом збагачення. Модель розрахована на напругу стік-витік до 600 В та струм стоку 19 А у корпусі TO220-3.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 19 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 99 мОм
• Корпус: TO220-3, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 19 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 99 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 210 Вт.

Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. Імпульсний струм дренажу (Idm) може досягати 95 А, а заряд затвора становить 44 нКл.

У комплекті поставки знаходиться 5 шт. транзисторів.