Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z, 600В, 3,16А, SuperMesh , TO220-3, набір 20 шт.
Код: TM020930
В наявності
3 530 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 588 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1600 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET STMicroelectronics STP5NK60Z. Компоненти мають напругу 600 В та виготовлені за технологією SuperMesh™.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 3,16 А та імпульсний струм 20 А
- Технологія SuperMesh™
- Корпус TO220-3 з монтажем THT
- Розсіювана потужність 90 Вт
- Набір із 20 транзисторів
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В. Номінальний струм дрена становить 3,16 А, а імпульсний струм досягає 20 А, забезпечуючи запас міцності при пікових навантаженнях.
Технологія SuperMesh™Використання технології SuperMesh™ забезпечує опір у відкритому стані 1,6 Ом.
Зручний монтаж та корпусКомпоненти виконані в корпусі TO220-3 з монтажем THT. Максимальна розсіювана потужність становить 90 Вт.
Комплектність для серійного виробництваУпаковка містить 20 транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
