
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 85 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP24NF10 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі TO220-3. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 18 А при потужності розсіювання 85 Вт.
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 100 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 18 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 60 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 85 Вт.
Технологія та конструкціяПрилад виготовлений за технологією STripFET™ II та має вставний тип монтажу. Корпус TO220-3 забезпечує стандартне кріплення для компонентів цієї потужності. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення.
КомплектаціяУ наборі постачається 20 транзисторів STP24NF10.