Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM80, 800В, 11А, TO220FP (5 шт.)
Код: TM114278
В наявності
3 250 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 542 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF11NM80 — це уніполярний компонент із технологією MDmesh™. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220FP.
- Максимальна напруга дрена-джерела 800 В
- Струм дрена 11 А
- Потужність розсіювання 35 Вт
- Корпус TO220FP із технологією MDmesh™
- Захист від електростатичного розряду (ESD)
- Комплект із 5 транзисторів
Максимальна напруга дрена-джерела становить 800 В, а струм дрена — 11 А. Транзистор є уніполярним із каналом типу wzbogacany (збагачуваний).
Потужність та корпусПотужність розсіювання становить 35 Вт. Компонент виконаний у корпусі TO220FP із застосуванням технології MDmesh™.
Захист ESDТранзистор має версію ESD.
Монтаж та комплектаціяКомпонент має тип монтажу THT (скрізний монтаж). У комплекті постачається 5 транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
