
| Максимальна потужність розсіювання | 320 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Виробник | DACO Semiconductor |
Одинарний силовий транзисторний модуль DACO Semiconductor DAMI300N150 у корпусі SOT227B. Максимальна напруга стік-витік 150 В, максимальний струм стоку 180 А.
Модуль має максимальну напругу стік-витік 150 В та максимально допустимий струм стоку 180 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 4.5 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 320 Вт. Напруга затвор-витік обмежена 20 В.
Конструкція та монтажТранзисторний модуль MOSFET має структуру одинарного транзистора та уніполярну поляризацію. Механічний та електричний монтаж виконується за допомогою прикручування.