Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4, 100 В, 21 А, DPAK (набір 20 шт.)
Код: TM232655
В наявності
3 380 ₴
100%
Доставка
Підписка на доставку SmartБезкоштовно — у відділення Нової Пошти
Нова Пошта
Оплата та гарантії
Безпечна оплата карткоюБез переплат
Prom гарантує безпеку
Повернемо гроші при відмові від посилки
Оплатити частинамиБез переплат*, від 563 ₴ / міс.
ПісляплатаНова Пошта, Самовивіз
Характеристики та опис
Основні
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 38 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
Додаткові характеристики
| Стан | Новий |
|---|
Користувальницькі характеристики
| Версія | ESD |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD25NF10T4 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 21 А.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 21 А
- Потужність розсіювання: 100 Вт
- Опір у відкритому стані: 38 мОм
- Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 100 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 38 мОм.
Конструкція та монтажВикористовується поверхневий тип монтажу. Корпус: DPAK. Технологія SuperMesh™ та версія ESD вказані у специфікації виробника.
Канал та полярністьТранзистор має канал збагачення та є уніполярним приладом. У наборі поставляється 20 шт. транзисторів.
Відгуки та запитання
- Відгуки (0)
- Запитання (0)
Ще не було відгуків про товар у цього продавця
