
| Максимальна потужність розсіювання | 82 Вт |
|---|---|
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Виробник | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор IGBT від бренду ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, модель AOT10B60D. Максимальна напруга колектор-емітер 600 В, максимально допустимий струм колектора 40 А у корпусі TO220. У комплекті поставляється 20 одиниць.
Транзистор має максимальну напругу колектор-емітер 600 В та максимально допустимий струм колектора 40 А. Максимальна потужність розсіювання становить 82 Вт. Заряд затвора становить 17,4 нКл, а максимальна напруга затвор-емітер ±20 В.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі TO220 з вставним типом монтажу. Енергія вимкнення — 0,07 мДж, енергія ввімкнення — 0,26 мДж.
КомплектаціяУ наборі міститься 20 транзисторів IGBT моделі AOT10B60D. Напруга насичення колектор-емітер: 1,53 В.