
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Стан | Новий |
|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
|---|---|
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET STF100N10F7 від STMicroelectronics у корпусі TO220FP. Компоненти призначені для монтажу на плату (THT) та розраховані на струм до 45 А та напругу 100 В.
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 45 А. У імпульсному режимі струм може досягати 180 А.
Теплові характеристики та опірПотужність розсіювання транзистора становить 30 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 8 мОм. Заряд затвора — 61 нКл, а допустима напруга затвор-виток — ±20 В.
Комплектація та монтажДо набору входить 10 транзисторів у корпусі TO220FP. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT). Компонент призначений для встановлення на друковані плати з відповідними отворами.