
| Виробник | STMicroelectronics |
|---|---|
| Коефіцієнт передачі струму | 14 дБ |
| Максимальна потужність розсіювання | 73 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Гранична частота передачі | 500 МГц |
|---|---|
| Стан | Новий |
| Вихідна потужність | 15000 |
|---|---|
| Гарантійний термін | 12 міс |
| ККД | 55 |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | PowerSO10RF |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics PD55015-E — це польовий транзистор з каналом типу N, призначений для RF-застосувань. Модель має максимальну напругу стік-витік 40 В, струм стоку 5 А та потужність розсіювання 73 Вт.
Транзистор працює з граничною частотою передачі 500 МГц. Коефіцієнт передачі струму становить 14 дБ. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 20 В.
Конструкція та монтажКомпонент виконаний у корпусі PowerSO10RF із поверхневим монтажем. Тип монтажу — поверхневий. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany), поляризація — уніполярна.
КомплектаціяУ комплекті поставляється 2 шт. транзисторів. Вихідна потужність пристрою становить 15000 мВт (15 Вт), а коефіцієнт корисної дії — 55 %.